[发明专利]气相沉积过程在审
| 申请号： | 202211030946.3 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115928047A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | T.哈坦帕;A.维赫尔瓦亚拉;M.瑞塔拉 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C07F7/30;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 过程 | ||
1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，该方法包括：
在反应室中提供衬底；
以气相向反应室提供金属或半金属前体；以及
以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料；其中还原剂包含选自式(I)化合物的环己二烯化合物，
其中，Z1和Z2中的每个独立地选自CR11和N，R1至R11中的每个独立地是H、C1至C7直链或支链烷基、C6至C10芳基或者C6至C14杂芳基。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，R11是H。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，Z1和Z2是N。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，R7至R10中的每个独立地选自由H、C1至C4直链和支链烷基和苯基构成的组。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R7至R10是H。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，R1至R6中的每个独立地选自由H、甲基、乙基、正丙基和异丙基构成的组。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R1至R6是甲基或乙基。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R1至R6是甲基。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述环己二烯化合物是1,4-双(三甲基锗烷基)-1,4-二氢吡嗪。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属或半金属前体是金属前体，并且元素金属沉积在衬底上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属或半金属前体是过渡金属前体，并且元素过渡金属沉积在衬底上。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述过渡金属是第4行过渡金属。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第4行过渡金属选自Co、Ni、Cu和Zn。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述金属前体包括金属卤化物。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属卤化物选自由CoCl2,NiCl2,CuCl2,ZnCl2,CoBr2,NiBr2,CuBr2,ZnBr2,CoI2,NiI2,CuI2和ZnI2构成的组。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属前体包括加合物配体。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述加合物配体是单齿加合物配体。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
