[发明专利]降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路在审
| 申请号： | 202211012719.8 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN116111960A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡蝶;陈志勇;曾瑞锋;谢凌霄;张吕;杨蕊;朱彦青 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F1/32;H03F1/42;H03F1/02;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱嫣菁 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，技术要点是：该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，其特征在于，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 陶瓷 管壳 封装 功率放大器 记忆 效应 匹配 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司，未经南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211012719.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
