[发明专利]降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路

说明书

本申请提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，技术要点是：该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，其特征在于，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路。

背景技术

随着通信系统的快速发展，具有较宽带宽或多载波调制信号的应用对射频功率放大器的线性化提出了苛刻要求。表征着射频功率放大器工作带宽的视频带宽(VBW)以及影响着功放线性度的记忆效应是衡量射频放大器性能的两个重要因素。从频域角度，功放的记忆效应被定义为功放的幅度和相位特性随着输入信号包络频率的变化而变化的现象。功放的记忆效应通常分为两类，一类是电记忆效应，与功放的器件和电路设计有关；另一类是热记忆效应，与晶体管沟道温度周期有关。由于功放的热记忆效应在器件出厂前已经经过器件厂商的优化，因此在实际设计功放电路时所优化的记忆效应通常是指功放的电记忆效应。

电记忆效应产生的主要原因是在放大器的工作带宽内，放大器源阻抗和负载阻抗随输入宽带调制信号的频率发生变化，表现出频率相关特性，最终导致放大器输出互调分量的幅度和相位随输入信号的频率变化，具体体现为放大器输出频谱分量上下边带的不对称现象。

为了减小记忆效应，大多数文章都是在偏置电路上添加辅助电路使包络信号短路，但由于传输线的离散作用，该方法难以实现宽带短路，并且通过降低偏置处微带线的等效电感量也很难较大幅度提高功放的VBW。

发明内容

本申请各示例性实施例提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。

本申请各示例性实施例提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地。

在一实施例中，所述第一电感L1和所述第二电感L2通过金丝键合引线连接。

在一实施例中，所述第一电阻R1和所述滤波电容C1分别采用薄膜电阻和陶瓷电容，并通过键合金丝互连。

在一实施例中，所述第一电感L1与所述内匹配功率放大器的寄生电容Cg并联谐振，谐振频率为fr，所述功率放大器的视频带宽由谐振频率fr决定，通过调节第一电感L1和第二电感L2的金丝参数来控制视频带宽。

在一实施例中，所述包络阻抗控制网络直接通过金丝连接到管壳上。

在一实施例中，所述滤波电容C1包括一个或多个。

本申请具有如下有益效果：

1、本申请在陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器内添加包络阻抗控制网络，其既能拓宽功率放大器的视频带宽，又能灵活的控制包络阻抗，使其在不影响功率放大器基波工作频带的情况下，减小包络阻抗，降低功放记忆效应；