[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211009054.5 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115332313A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 何政;吴琼;唐怡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：有源柱，有源柱包括沟道区以及分布于沟道区两侧的源漏区；栅极结构，栅极结构至少围绕部分沟道区，沟道区包括外围部和中心部，外围部位于栅极结构与中心部之间，源漏区和外围部均具有第一掺杂类型，中心部具有第二掺杂类型，第一掺杂类型为N型或者P型中的一者，第二掺杂类型为N型或者P型中的另一者。至少可以解决当前无结型场效应晶体管关断困难、关断效果不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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