[发明专利]场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211004902.3 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115360258A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 岳德武;王新中;刘新科 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体电子器件技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：衬底；二硒化钨层，形成于衬底上；源极和漏极，形成于二硒化钨层上；其中，源极和漏极之间的沟道下方的二硒化钨层具有水平同质PN结，水平同质PN结由相邻的本征N+型二硒化钨层和P+型掺杂二硒化钨层形成，P+型掺杂二硒化钨层上形成有钨氧化物外延层。本申请场效应晶体管具有低接触电阻和高光响应特性，用于光电探测器中具有卓越的光探测率，具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳信息职业技术学院，未经深圳信息职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211004902.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
