[发明专利]垂直结构的薄膜晶体管和电子器件在审
| 申请号： | 202210980039.9 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115394857A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟;罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L29/167;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直结构的薄膜晶体管和电子器件；该垂直结构的薄膜晶体管通过使第一掺杂部、沟道部和第二掺杂部叠层设置，可以实现极小沟道长度的多晶硅薄膜晶体管，并通过将第二掺杂部设置于绝缘层的过孔内，使第二掺杂部通过过孔与沟道部连接且部分接触，可以减小第二掺杂部与沟道部的接触面积，则减少了扩散至沟道区的离子，提高薄膜晶体管的器件稳定性，且减少了薄膜晶体管的投影面积，提高了显示面板的开口率，有利于开发高分辨率和高刷新率的产品、甚至实现部分芯片的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 薄膜晶体管 电子器件 | ||
【主权项】：
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