[发明专利]垂直结构的薄膜晶体管和电子器件

权利要求书

1.一种垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

绝缘衬底；

有源层，设置于所述绝缘衬底的一侧，所述有源层包括叠层设置的第一掺杂部、沟道部和第二掺杂部；

绝缘层，设置于所述沟道部远离所述第一掺杂部的一侧，所述绝缘层包括过孔；

其中，所述第二掺杂部设置于所述过孔内，所述第二掺杂部通过所述过孔与所述沟道部连接且部分接触。

2.如权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直结构的薄膜晶体管还包括源漏极层，所述源漏极层设置于所述绝缘层远离所述有源层的一侧，所述源漏极层包括第一电极和第二电极，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一掺杂部电连接，所述第二掺杂部设置于所述第二过孔内，所述第二电极与所述第二掺杂部接触。

3.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂部的材料包括N型掺杂的多晶硅，所述第二掺杂部的材料包括N型掺杂的非晶硅。

4.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂部在靠近所述绝缘衬底一侧的掺杂离子浓度大于所述第一掺杂部在靠近所述沟道部一侧的掺杂离子浓度。

5.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂部包括第一重掺杂部和第一轻掺杂部，所述第一重掺杂部的掺杂离子浓度大于所述第一轻掺杂部的掺杂离子浓度，所述第一轻掺杂部设置于所述第一重掺杂部和所述沟道部之间。

6.如权利要求5所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂部包括第三过孔，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一重掺杂部电连接，且所述第一电极通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一轻掺杂部电连接。

7.如权利要求5所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一重掺杂部的宽度大于所述第一轻掺杂部的宽度，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一重掺杂部电连接。

8.如权利要求5所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂部的材料包括N型掺杂的非晶硅。

9.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二掺杂部在靠近所述源漏极层的一侧的掺杂离子浓度大于所述第二掺杂部在靠近所述沟道部的一侧的掺杂离子浓度。

10.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二掺杂部包括第二重掺杂部和第二轻掺杂部，所述第二重掺杂部的掺杂离子浓度大于所述第二轻掺杂部的掺杂离子浓度，所述第二轻掺杂部设置于所述第二重掺杂部和所述沟道部之间，且所述第二轻掺杂部与所述第二重掺杂部的侧面部分接触。

11.如权利要求10所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二重掺杂部的厚度与所述第二轻掺杂部的厚度之比大于或者等于5。

12.如权利要求10所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二电极延伸至所述第二过孔内，所述第二重掺杂部与所述第二电极的侧面接触。

13.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二掺杂部包括设置于所述绝缘层远离所述沟道部的第一部分和位于所述第二过孔内的第二部分，所述第一部分与所述第二部分连接。

14.如权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二过孔的孔径范围为2微米至4微米。

15.如权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂部的宽度大于所述沟道部的宽度。