[发明专利]发光二极管及发光装置有效
| 申请号： | 202210980035.0 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115064619B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡淼敏;陈思河;臧雅姝;杨仲杰;张中英;蔡吉明;姜卓颖;黄禹杰;林素慧 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 曾启航 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构具有相对的第一表面和第二表面，外延结构并包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层位于N型半导体层和P型半导体层之间，P型半导体层包括P型接触层和P型基层，P型基层位于P型接触层与发光层之间，第一电极位于外延结构的第二表面上并电连接N型半导体层，第二电极位于外延结构的第二表面上并电连接P型半导体层，其中，P型接触层中掺杂的P型杂质浓度是沿着第一表面到第二表面的方向逐渐降低。借此，可以有效提升发光二极管的发光效率，并且在老化光衰方面也得到显著改善。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
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