[发明专利]一种晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202210971333.3 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115050817B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/227;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该晶体管包括衬底，以及依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、复合高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，复合高阻层包括第一子层和设于第一子层之上的第二子层，第一子层为Si |
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| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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