[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202210971308.5 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115050702B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供衬底和叠层结构，叠层结构位于衬底的表面，叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层；去除部分牺牲层，在部分牺牲层对应的位置形成多条位线；形成多个有源层，每个有源层与每条位线处于同层，且形成于每条位线的侧面，每个有源层的第一端和每条位线连接；形成电容结构，电容结构和每个有源层连接；形成多条字线，每条字线垂直连接每个有源层，字线覆盖每个有源层的部分侧壁。在本公开中，可通过增加堆叠层数的方式提升DRAM的存储密度，实现更高的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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