[发明专利]一种掺铪氧化铟透明导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202210960867.6 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115418609A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;张家嘉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;B22F3/02;B22F3/10 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明属于电子信息材料技术领域，公开了一种掺铪氧化铟透明导电薄膜及其制备方法，首先将氧化铟粉末与氧化铪粉末按10:1的摩尔比进行配料，进行靶材制备；然后将预处理后的基片放入磁控溅射样品台上，将制备的靶材装置在相应的射频溅射靶上，对磁控溅射系统的本底抽真空；最后以高纯氩气作为溅射气体，通过磁控溅射制备掺铪氧化铟透明导电薄膜；控制薄膜厚度和溅射功率，得到掺铪氧化铟透明导电薄膜。本发明选择Hf作为掺杂元素来改善In |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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