[发明专利]一种硒化铋电极及其制备方法和应用

摘要

本发明属于拓扑材料制备技术领域，公开了一种硒化铋(Bi2Se3)电极及其制备方法和应用。本发明将Bi2Se3单晶粘到胶带上，通过机械剥离法将胶带上带有Bi2Se3单晶的一面轻微挤压在Si/SiO2衬底上，然后将胶带与Si/SiO2衬底分离，此时大块均匀的层状Bi2Se3留在Si/SiO2衬底上；通过FIB技术切除Si/SiO2衬底上Bi2Se3的局部面积，在Bi2Se3上做出沟道的长和宽，得到Bi2Se3平行电极；再使用干法转移的方法，用PVA将所得Bi2Se3平行电极转移到二维材料上，制备出光电探测器。该拓扑材料Bi2Se3电极可应用在二维半导体领域中。