[发明专利]一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法在审
| 申请号： | 202210936963.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115287752A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 谢进;王银海;魏建宇;郭佳龙 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B23/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法，以掺少量Ge(含量为5％‑20％)、衬底电阻率为0.0011Ω.cm‑0.0021Ω.cm的超重掺B衬底为原材料，先在减压外延的工艺条件下生长一层缓冲层，再在此基础上再以常压外延工艺生长一层所需外延层，此方法得到的超重掺B衬底硅外延片翘曲度可以改善约40％‑60％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超重 外延 曲度 方法 | ||
【主权项】：
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