[发明专利]一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法在审
| 申请号： | 202210936963.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115287752A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 谢进;王银海;魏建宇;郭佳龙 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B23/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超重 外延 曲度 方法 | ||
1.一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)准备衬底：选择Ge含量为5％-20％、衬底电阻率为0.001Ω.cm-0.002Ω.cm的超重掺B衬底；
(2)烘烤：将衬底放置于外延炉腔体内烘烤；
(3)生长缓冲层：在-10托～-30托压力、1020℃-1080℃的环境下先通入高掺杂硼烷生长一层缓冲层，生长过程中生长速率控制在0.4μm/min-0.6μm/min；
(4)生长外延层：以缓冲层的基础，在压力条件为740托-750托，生长温度为1120℃-1130℃的工艺条件下通入高掺杂硼烷生长一层所要求的外延层，生长速率控制在3.9μm/min-4.0μm/min。
2.如权利要求1所述的外延方法，其特征在于：步骤(1)中选择Ge含量5％，衬底电阻率为0.001的重掺B衬底；步骤(2)中，在1130℃的温度下通入H2烘烤35s，步骤(3)中，在-30托，1020℃，生长速率0.4μm/min的工艺下生长一层缓冲层，步骤(4)中，在750托，1130℃的工艺条件下通入高掺杂硼烷生长一层所要求的外延层。
3.如权利要求2所述的外延方法，其特征在于：步骤(1)选择Ge含量10％，衬底电阻率为0.0015的重掺B衬底，步骤(2)中，在1130℃的温度下通入H2烘烤35s，步骤(3)中，在-20托，1050℃，生长速率0.5μm/min的工艺下生长一层缓冲层，步骤(4)中，在750托，1130℃的工艺条件下通入高掺杂硼烷生长一层所要求的外延层。
4.如权利要求3所述的外延方法，其特征在于：步骤(1)选择Ge含量20％，衬底电阻率为0.002的重掺B衬底，步骤(2)中，在1130℃的温度下通入H2烘烤35s，步骤(3)中，在-30托，1080℃，生长速率0.6μm/min的工艺下生长一层缓冲层，步骤(4)中，在750托，1130℃的工艺条件下通入高掺杂硼烷生长一层所要求的外延层。
5.如权利要求1所述的外延方法，其特征在于：步骤(2)中，向外延炉腔体内通H2，在1110℃-1150℃下烘烤35s-40s。
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