[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202210933727.X | 申请日： | 2022-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN116940115A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李维中;丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B20/25 | 分类号： | H10B20/25;H10B20/00;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 章愫;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括半导体基板、主动区、晶体管栅极、熔丝栅极、第一介电图案、第二介电图案以及多条金属线。主动区设置于半导体基板中。晶体管栅极具有沿着第一方向延伸穿过主动区的第一线段和第二线段。位于第一线段与第二线段之间的熔丝栅极沿第一方向延伸穿过主动区。第一介电图案设置于主动区和晶体管栅极之间。第二介电图案设置于主动区和熔丝栅极之间。位于晶体管栅极相对两侧的多条金属线电性连接至主动区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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