[发明专利]一种阈值电压可调的超薄氧化铟锡薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210917408.X | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274457A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;钱柏帆;王天宇;孟佳琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786;C23C16/40;C23C16/52;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种阈值电压可调的超薄氧化铟锡薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在具有二氧化硅层的硅衬底上形成源极和漏极；在上述结构上，采用原子层沉积依次生长超薄氧化铟锡薄膜和高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅；采用金属栅自对准工艺刻蚀高k介质层和超薄氧化铟锡薄膜，将除沟道区域以外的高K介质层和超薄氧化铟锡薄膜去除；进行快速热退火处理，通过在纳米级别精准调控沟道层超薄氧化铟锡薄膜的厚度，从而直接调控晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 可调 超薄 氧化 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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