[发明专利]防串扰SiC MOSFET驱动电路在审
申请号: | 202210910736.7 | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115313818A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 陈广辉;赵文卓;刘敏通 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/32;H02M1/38 |
代理公司: | 北京麦宝利知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11733 | 代理人: | 刘丽萍 |
地址: | 519070 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种防串扰SiC MOSFET驱动电路,包括:相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路,上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路;上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET,并且上桥臂防串扰电路中包括:连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路;下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET,下桥臂防串扰电路中包括:连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。本发明的方案有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰,在保证串扰被抑制的前提下,能够有效保护功率器件的安全性。 | ||
搜索关键词: | 防串扰 sic mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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