[发明专利]一种非接触式碳化硅晶体的生长装置在审
| 申请号： | 202210905072.5 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115233300A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李远田;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非接触式碳化硅晶体的生长装置，包括：生长坩埚、磁场发生件、籽晶和磁场感应件，生长坩埚限定出生长腔，生长腔内盛放有碳化硅粉体；磁场发生件设在生长坩埚的外侧，用于提供磁场；籽晶设置在生长腔内且与碳化硅粉体间隔布置；磁场感应件与籽晶连接，用于感应磁场发生件提供的磁场，产生感应涡流，使得籽晶适于在感应涡流的作用下悬浮在生长腔内。本发明能够实现对籽晶的非接触式固定，避免了籽晶的粘接问题和机械应力，提高了晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 碳化硅 晶体 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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