[发明专利]一种栅极侧墙的制作方法在审
| 申请号： | 202210900743.9 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115274451A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 相广欣;乔振杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 黄一磊 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种栅极侧墙的制作方法，包括：在腔室内通入2Nte前驱体；通过抽气，仅保留一个原子层厚度前驱体在晶圆的表面；通入氮源工艺气体，在等离子体的作用下与2Nte发应，生成氮化硅薄膜；对残余气体后清理；在腔室内通入2Nte前驱体；通过抽气，仅保留一个原子层厚度前驱体在晶圆的表面；通入氧气，在等离子体的作用下与2Nte发应，生成氧化硅薄膜；对残余气体后清理，完成栅极侧墙制作。通过本发明获得的栅极侧墙与栅极之间具有氮化硅薄膜，进而有效避免在ALD工艺中等离子体增强的氧气直接与栅极表面接触，对栅极进行氧化，导致栅极尺寸缩小，降低产品良率和可靠性的不良后果，另氮化硅薄膜和氧化硅薄膜在同一ALD工艺设备中制作，操作简单，设备集成度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
