[发明专利]一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法在审
| 申请号： | 202210900279.3 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115161762A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 锗硅碳 三元 合金 固体 生长 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
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