[发明专利]具有隔离基极接触区的垂直绝缘栅极电源开关在审

专利信息
申请号: 202210899865.0 申请日: 2022-07-28
公开(公告)号: CN115692466A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 保罗·M·摩尔;理查德·A·布兰查德;弗拉迪米尔·罗多夫 申请(专利权)人: 帕可科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 江泰維
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及具有隔离基极接触区的垂直绝缘栅极电源开关。在具有沟槽绝缘栅极的垂直功率装置中,存在npnp分层结构。所述垂直栅极以合适栅极偏压接通所述装置,以在顶部电极与底部电极之间传导电流。在实例中,植入的n+源极区形成在p‑阱内的顶部表面中。在一些栅极之间,通过蚀刻打开上覆的电介质,以暴露所述p‑阱的分布式p型接触区。所述电介质也被打开以暴露所述n+源极区的区域。所述顶部电极金属直接接触所述暴露的p型接触区及所述n+源极区,以跨蜂窝阵列提供分布式发射极到基极短接,以在存在瞬态时改进装置性能。归因于所述p型接触区不邻接所述n+源极区,在沉积所述金属电极之前,所述p型接触区与所述n+源极区隔离。
搜索关键词: 具有 隔离 基极 接触 垂直 绝缘 栅极 电源开关
【主权项】:
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