[发明专利]一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法在审
| 申请号： | 202210878246.3 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN114999897A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吕春富;常晟;刘桂勇 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法，包括：1)用高纯水冲洗干净、甩干，揭去背面的UV膜，按照抛光面朝卡塞U头方向，插入卡塞的插槽中；2)浸入3％‑40％的碱液中浸泡2‑5分钟，再用去离子水冲洗3‑5分钟，然后置于甩干机甩干；3)浸入四甲基氢氧化氨水溶液中泡洗30‑120秒，然后纯水冲洗30‑90S；4)再放入温度低于6℃以下的腐蚀液中泡洗120‑300s，然后纯水冲洗30‑90S，甩干，检查表面质量合格后充氮气包装。本发明可以有效去除抛光片表面磨料颗粒、损伤氧化层、抛光残留药水，通过三种药水清洗，可以得到达到高质量的锗单晶抛光片清洗表面，其表面颗粒度大于0.3微米的几乎没有，清洗后表面清洁透亮，表面均匀细腻、粗糙小于0.2纳米；本方法操作简单，容易实现量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 锗单晶 抛光 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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