[发明专利]一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法在审
| 申请号： | 202210878246.3 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN114999897A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吕春富;常晟;刘桂勇 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 锗单晶 抛光 清洗 方法 | ||
1.一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：超薄锗单晶抛光片采用粘贴UV膜的方法进行抛光，其清洗包括顺序相接的步骤如下：
(1)将精抛完的超薄锗单晶抛光片用高纯水冲洗干净、甩干，在紫外灯下照射，把超薄锗单晶抛光片背面的UV膜揭去，按照抛光面朝卡塞U头方向，插入卡塞的插槽中；
(2)将装有超薄锗单晶抛光片的卡塞浸入质量浓度为3％-40％的碱液中浸泡2-5分钟，再用去离子水冲洗3-5分钟，然后置于甩干机甩干；
(3)将甩干锗单晶抛光片单片放置在晶片夹上夹紧，浸入四甲基氢氧化氨水溶液中泡洗30-120秒，然后纯水冲洗30-90S；
(4)再将锗单晶抛光片放入温度低于6℃以下的腐蚀液中泡洗120-300s，然后纯水冲洗30-90S，其中，腐蚀液由体积比为(7～9):1:(1～3)的水、双氧水和氨水混合而成；
(5)将锗单晶抛光片甩干，检查表面质量合格后充氮气包装。
2.如权利要求1所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(1)中，相邻两超薄锗单晶抛光片之间，至少空一个插槽，一个有25个插槽的卡塞中，插入8-13片超薄锗单晶抛光片。
3.如权利要求1或2所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(2)中，碱液是氨水溶液、氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(3)中，四甲基氢氧化氨水溶液的质量浓度为15-35％。
5.如权利要求1或2所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(4)中，双氧水的质量浓度为28～32％，氨水的质量浓度为26～30％。
6.如权利要求5所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(4)中，双氧水的质量浓度为30％，氨水的质量浓度为28％。
7.如权利要求6所述的超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：步骤(4)中，腐蚀液由体积比为8:1:2的水、双氧水和氨水混合而成。
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