[发明专利]外延结构及其制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202210865633.3 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115084328A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延结构及其制备方法和半导体器件。外延结构包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型氮化物层，位于所述缓冲层上；氮化物发光层，位于所述n型氮化物层上；低温型p型氮化物层，位于所述氮化物发光层上，包括共格生长工艺层和至少一个p型氮化物工艺层，所述共格生长工艺层包括交替层叠的第一共格生长层和第二共格生长层；氮化物电子阻挡层，位于所述低温型p型氮化物层上，p型氮化物层，位于所述氮化物电子阻挡层上。采用上述结构的低温型p型氮化物层，共格生长工艺层能够调整低温型p型氮化物层的晶格，使其晶格更好地匹配氮化物电子阻挡层，降低位错缺陷的产生，减小氮化物电子阻挡层生长翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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