[发明专利]晶圆测试方法在审
| 申请号： | 202210856114.0 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115083940A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 熊小玲;曲厚任;彭长青;张生义 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆测试方法，包括：提供包括器件单元区和切割道区的衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层包括形成于切割道区内的第一测试焊盘；在所述金属层上形成具有第一开口的第一钝化层，所述第一开口形成于切割道区内且暴露所述第一测试焊盘；对晶圆进行晶圆允收测试；在第一钝化层上形成覆盖所述第一测试焊盘的第二钝化层。本发明先制备具有第一开口的第一钝化层，通过第一开口暴露切割道区内的第一测试焊盘，以便进行晶圆允收测试，并在测试完成后形成覆盖第一钝化层及第一测试焊盘的第二钝化层，减少或避免了晶圆在后续分片切割过程中切割道区存在裸漏金属的情况，从而避免因切割偏移导致的金属层卷边，避免芯片失效。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
