[发明专利]晶圆测试方法

说明书

本发明提供一种晶圆测试方法，包括：提供包括器件单元区和切割道区的衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层包括形成于切割道区内的第一测试焊盘；在所述金属层上形成具有第一开口的第一钝化层，所述第一开口形成于切割道区内且暴露所述第一测试焊盘；对晶圆进行晶圆允收测试；在第一钝化层上形成覆盖所述第一测试焊盘的第二钝化层。本发明先制备具有第一开口的第一钝化层，通过第一开口暴露切割道区内的第一测试焊盘，以便进行晶圆允收测试，并在测试完成后形成覆盖第一钝化层及第一测试焊盘的第二钝化层，减少或避免了晶圆在后续分片切割过程中切割道区存在裸漏金属的情况，从而避免因切割偏移导致的金属层卷边，避免芯片失效。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种晶圆测试方法。

背景技术

晶圆包括多个芯片和隔离各个所述芯片的切割道区（Scribe Line），在所述晶圆上形成集成电路后，进行切割封装之前，需要对所有的所述晶圆进行晶圆可接受度测试（Wafer Acceptance Test，WAT），将有制程缺陷的晶圆标注出来，并在切割晶圆前将这些存在缺陷的晶圆过滤出来丢弃，从而避免存在缺陷的晶圆进入分片切割及后续的封装等制程。

在晶圆测试过程中，需要在切割道区内的钝化层上形成开口以暴露部分金属层作为第一测试焊盘，晶圆测试之后沿所述开口进行晶圆切割。由于分片切割制程（Die Sew）中所采用的刀片在切割过程中会存在一定的偏移，所述切割道区内裸漏的金属层在分片切割的过程中会存在裸露卷边的风险，若卷边的金属落入所述器件单元区则可能使芯片存在短路风险（Short Risk），严重时可能导致芯片失效。

鉴于此，需要一种方法来减少或避免晶圆分片过程中切割道区内存在裸漏金属的情况，从而避免因切割偏移导致的金属层卷边，避免芯片失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆测试方法，减少或避免晶圆在后续的分片切割过程中切割道区存在裸漏金属，从而避免因切割偏移导致的金属层卷边，避免芯片失效。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆测试方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件单元区和切割道区，所述衬底上形成有金属层，所述金属层至少包括形成于所述切割道区内的第一测试焊盘；

在所述金属层上形成具有第一开口的第一钝化层，所述第一开口形成于所述切割道区内且至少暴露所述第一测试焊盘；

对所述晶圆进行晶圆允收测试；以及，

在所述第一钝化层上形成第二钝化层，且所述第二钝化层覆盖所述第一测试焊盘。

可选的，形成具有第一开口的所述第一钝化层的过程包括：

进行若干次沉积工艺，在所述金属层的表面形成钝化材料层；

对所述钝化材料层进行平坦化处理，以形成所述第一钝化层；

刻蚀所述第一钝化层，以形成至少暴露所述第一测试焊盘的所述第一开口。

可选的，所述金属层还包括形成于所述器件单元区内的对准标记和第二测试焊盘。

可选的，在形成所述第二钝化层之后，还包括：

刻蚀所述第二钝化层和所述第一钝化层，以在所述器件单元区内形成至少暴露所述第二测试焊盘的第二开口。

可选的，形成所述第二开口的过程包括：

在所述第二钝化层上形成 图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二钝化层及所述第二钝化层下方的部分第一钝化层，以形成所述第二开口。

可选的，在形成所述第二开口之后，还包括：

对所述晶圆进行分片切割，以形成多个芯片。

可选的，利用所述第一测试焊盘进行所述晶圆允收测试。