[发明专利]晶圆测试方法

权利要求书

1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件单元区和切割道区，所述衬底上形成有金属层，所述金属层至少包括形成于所述切割道区内的第一测试焊盘；

在所述金属层上形成具有第一开口的第一钝化层，所述第一开口形成于所述切割道区内且至少暴露所述第一测试焊盘；

对所述晶圆进行晶圆允收测试；以及，

在所述第一钝化层上形成第二钝化层，且所述第二钝化层覆盖所述第一测试焊盘。

2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，形成具有第一开口的所述第一钝化层的过程包括：

进行若干次沉积工艺，在所述金属层的表面形成钝化材料层；

对所述钝化材料层进行平坦化处理，以形成所述第一钝化层；

刻蚀所述第一钝化层，以形成至少暴露所述第一测试焊盘的所述第一开口。

3.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述金属层还包括形成于所述器件单元区内的对准标记和第二测试焊盘。

4.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述第二测试焊盘用于对所述晶圆分片切割后而成的芯片进行芯片测试。

5.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，在形成所述第二钝化层之后，还包括：

刻蚀所述第二钝化层和所述第一钝化层，以在所述器件单元区内形成至少暴露所述第二测试焊盘的第二开口。

6.根据权利要求5所述的晶圆测试方法，其特征在于，形成所述第二开口的过程包括：

在所述第二钝化层上形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二钝化层及所述第二钝化层下方的部分第一钝化层，以形成所述第二开口。

7.根据权利要求5所述的晶圆测试方法，其特征在于，在形成所述第二开口之后，还包括：

对所述晶圆进行分片切割，以形成多个芯片。

8.根据权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，利用所述第一测试焊盘进行所述晶圆允收测试。

9.根据权利要求8所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述切割道区的宽度为60μm~80μm，所述第一测试焊盘的垂直所述切割道区的延伸方向的宽度为30μm~40μm，所述分片切割过程所采用的刀片宽度为30μm~40um。

10.根据权利要求9所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述分片切割过程中所述刀片的刀尖与所述切割道区的中心轴线之间的偏移量小于或等于1.5μm。