[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210853382.7 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115116871A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 何正鸿;王森民 | 申请（专利权）人： | 甬矽半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、保护层、基底粘接层、导电组合层、电性凸柱和帽层，其中基底粘接层为多层石墨烯材料，能够增强底部结构的稳定性以及疏水性，同时避免底切问题，此外基底粘接层形成有弧形凹槽，能够提升相邻层级之间的接触面，进而提升结合力。相较于现有技术，本发明提供的凸块封装结构，能够避免出现过度腐蚀形成的底切开口，同时结构更加稳定，底部结构结合力更好，且散热、导电性能均较佳，有效缓解了电迁移和热迁移带来的失效隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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