[发明专利]一种硒化锗纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210852035.2 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115159474A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 毛宇亮;吴鑫;邓纪财;周星 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) 51247 | 代理人： | 吴亦雨 |
| 地址： | 411100*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种硒化锗纳米片及其制备方法。具体技术方案为：一种硒化锗纳米片，呈矩形，表面平整横截面面积为50～200平方微米，厚度最小为8.9nm。本发明提供了一种全新的制备硒化锗纳米片的方法，具体通过CVD方法制备，原材料为锗粉与硒粉，制备工艺简单，生产成本低，反应条件易于控制，可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锗 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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