[发明专利]一种硒化锗纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210852035.2 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115159474A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 毛宇亮;吴鑫;邓纪财;周星 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) 51247 | 代理人： | 吴亦雨 |
| 地址： | 411100*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锗 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种硒化锗纳米片，其特征在于：呈矩形，表面平整横截面面积为50～200平方微米，厚度为8.9～50nm。
2.一种制备权利要求1所述硒化锗纳米片的制备方法，其特征在于：将硒、锗、氯氧化铋置于惰性气体氛围中进行化学气相沉积制备获得。
3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于：将硒、锗、氯氧化铋置于惰性气体与氢气混合的氛围中进行化学气相沉积制备获得。
4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：按体积比，惰性气体与氢气的用量关系为：40～50:8～10。
5.根据权利要求2～4任意一项所述制备方法，其特征在于：按质量比，硒：锗：氯氧化铋＝2～3:4～5:1～1.5。
6.根据权利要求2～4任意一项所述制备方法，其特征在于：所述方法具体包括如下步骤：
使用具有双温加热区的真空管式气氛炉进行所述化学气相沉积，硒单独置于一侧加热区，锗及氯氧化铋混合均匀后置于另一侧加热区，在放置锗及氯氧化铋的加热区下游放置云母基底收集样品，并从放置硒的加热区一侧通入惰性气体或惰性气体和氢气。
7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：放置硒的加热区的反应温度为320℃～330℃。
8.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：放置硒的加热区的反应时间为8～10min。
9.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：放置锗的加热区的反应温度为630℃～650℃。
10.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：放置锗的加热区的反应时间为8～10min。
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