[发明专利]一种复合功率器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210846204.1 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115132846B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 高学;罗杰馨;柴展;王贺 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合功率器件结构及其制备方法，该复合功率器件结构包括半导体层、第一沟槽、介电层、屏蔽栅层、第二沟槽、第一栅极结构、第二栅极结构及源极接触孔，其中，第一沟槽位于半导体层中并沿X方向间隔排列；介电层位于第一沟槽内壁及底面；屏蔽栅层填充第一沟槽；第二沟槽位于相邻两第一沟槽之间；第一、二栅极结构分别位于第一沟槽与第二沟槽中，分别包括第一栅介质层与第一栅导电层及第二栅介质层与第二栅导电层；源极接触孔间隔排列于相邻两第一沟槽之间。本发明利用第一沟槽中的屏蔽栅层，平衡器件中漂移区的电荷，降低器件内阻，并于第二沟槽中形成第二栅导电层，避免了垂直型MOSFET中的JFET区，进一步降低器件内阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 功率 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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