[发明专利]一种复合功率器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种复合功率器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体层，并于所述半导体层中形成多个沿X方向间隔排列的第一沟槽，且所述第一沟槽的开口向上且沿Y方向延伸，所述X方向与所述Y方向垂直；

依次形成介电材料层及导电材料层于所述第一沟槽内，所述介电材料层位于所述第一沟槽的内壁与底面，所述导电材料层位于所述介电材料层的表面，并刻蚀所述导电材料层以得到屏蔽栅层；

于相邻两个所述第一沟槽之间的所述半导体层中形成至少一个第二沟槽，所述第二沟槽开口向上，并形成位于所述第一沟槽的内壁与底面的介电层；

形成第一栅结构于所述第一沟槽中，形成第二栅结构于所述第二沟槽中，所述第一栅结构包括第一栅介质层及第一栅导电层，所述第二栅结构包括第二栅介质层及第二栅导电层；

于相邻两个所述第一沟槽之间形成多个间隔排列的源极接触孔，所述第二沟槽沿Y方向弯折延伸，且所述第二沟槽不与所述第一沟槽连通，所述源极接触孔分列于所述第二沟槽沿所述X方向的两侧。

2.根据权利要求1所述的复合功率器件结构的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽的沟槽深度大于所述第二沟槽的沟槽深度。

3.根据权利要求1所述的复合功率器件结构的制备方法，其特征在于：沿X方向排列的相邻两个所述第二沟槽的位置相对于Y方向呈对称分布，沿X方向排列的相邻两个所述源极接触孔的位置相对于Y方向呈对称分布。

4.根据权利要求1所述的复合功率器件结构的制备方法，其特征在于：所述第一栅导电层位于所述屏蔽栅层两侧且所述第一栅导电层的底面低于所述屏蔽栅层的上表面，或者所述第一栅导电层位于所述屏蔽栅层的上方。

5.根据权利要求1所述的复合功率器件结构的制备方法，其特征在于：形成所述源极接触孔之后还包括形成栅极、源极及漏极的步骤，且所述栅极电连接所述第一栅导电层及所述第二栅导电层，所述源极填充所述源极接触孔。

6.根据权利要求5所述的复合功率器件结构的制备方法，其特征在于：与所述第一栅导电层电连接的所述栅极、所述源极、所述漏极构成屏蔽栅沟槽MOSFET结构，与所述第二栅导电层电连接的所述栅极、所述源极、所述漏极构成UMOSFET结构。

7.一种复合功率器件结构，其特征在于，包括：

半导体层；

第一沟槽，位于所述半导体层中，所述第一沟槽沿X方向间隔排列，且所述第一沟槽的开口向上并沿Y方向延伸，所述X方向与所述Y方向垂直；

介电层，位于所述第一沟槽的内壁及底面；

屏蔽栅层，填充于所述第一沟槽中；

第二沟槽，位于相邻两个所述第一沟槽之间的所述半导体层中，且开口向上；

第一栅结构及第二栅结构，所述第一栅结构位于所述第一沟槽中，所述第二栅结构位于所述第二沟槽中，所述第一栅结构包括第一栅介质层及第一栅导电层，所述第二栅结构包括第二栅介质层及第二栅导电层；

多个源极接触孔，间隔排列于相邻两个所述第一沟槽之间，所述第二沟槽沿Y方向弯折延伸，且所述第二沟槽不与所述第一沟槽连通，所述源极接触孔分列于所述第二沟槽沿所述X方向的两侧。