[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202210831625.7 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116322059A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 西村贵仁;西川拓也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/10;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/10;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠式主体，其包含逐个交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层以及阶梯状部分，在所述阶梯状部分中，所述多个导电层被处理成阶梯形状；及多个第二柱，其在所述堆叠式主体中在所述阶梯状部分中延伸，其中所述多个第二柱中的每一者包含：第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿堆叠方向延伸；半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的侧壁；第三绝缘层，其安置成与所述半导体层的侧壁接触且覆盖所述半导体层的所述侧壁；及第四绝缘层，其安置成与所述第三绝缘层的侧壁接触且覆盖所述第三绝缘层的所述侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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