[发明专利]一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202210829743.4 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115050814A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 魏杰;赵智家;彭小松;杨可萌;孙涛;郗路凡;邓思宇;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件。利用干法刻蚀的负载效应形成沿源极到漏极随窗口宽度依次变小因而深度依次变浅的阶梯槽，并且引入经一次性氟离子注入实现的栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现增强型和高耐压。渐变掺杂阶梯氟离子终端能有效降低栅极附近的电场尖峰，并在靠近漏极的终端末端引入新的电场尖峰，优化漂移区表面电场分布，提高器件耐压。同时相较于在势垒层中注入氟离子的终端结构，在介质钝化层里注入氟离子能减小对二维电子气迁移率的影响，从而改善器件正向导通和动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 渐变 掺杂 阶梯 离子 终端 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210829743.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超柔软性高支高密面料的制备方法
- 下一篇：十字架式幕墙安装结构及安装方法
- 同类专利
- 专利分类
