[发明专利]一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210829590.3 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115050813A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 魏杰;赵智家;邓思宇;杨可萌;郗路凡;孙涛;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法。该制造方法中，先采用光刻工艺，形成宽度依次变小的窗口，之后通过宽度依次变小的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶梯槽，最后进行一次性氟离子注入，形成渐变掺杂阶梯氟离子终端。该终端能更好地优化表面电场，提升器件耐压，并且该制造方法通过一次性氟离子注入形成栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现了增强型和提高器件耐压，降低工艺的难度。另外，该制造方法中氟离子注入到钝化层中而非直接注入到势垒层AlGaN中，可减小对二维电子气迁移率的影响，抑制动态电阻增加和电流崩塌效应，改善器件正向导通和动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 渐变 掺杂 阶梯 离子 终端 gan hemt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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