[发明专利]一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210827102.5 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115050831A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 宓珉瀚;马晓华;杜翔;王鹏飞;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;朱青;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底层；GaN缓冲层，设置在所述衬底层上；背靠背势垒层，设置在所述GaN缓冲层上，所述背靠背势垒层中的Al组分自上而下由x递增到y、再由y递减到0；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极的部分深度分别位于所述GaN缓冲层两端的内部；钝化层，所述钝化层设置在所述背靠背势垒层上；栅电极，所述栅电极设置在栅电极区域的所述背靠背势垒层上。本发明所提供的新型缓变势垒GaN HEMT器件该新型结构跨导平坦度较常规结构有明显改善，线性度得到提升。此外，较单一渐变Al组分势垒结构，该新型结构栅下电场的分布更加平坦。故这一结构兼顾了较好的频率特性、击穿特性和优良的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提升 线性 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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