[发明专利]基于后通孔技术的三维半导体集成封装结构及工艺在审
| 申请号： | 202210818045.4 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115312496A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;高众杰;王诗兆;东芳;张云彭;盛灿 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 齐晨涵 |
| 地址： | 430072 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于后通孔技术的三维半导体集成封装结构及工艺。该三维集成封装结构包括载板(晶圆)、第一芯粒、第二芯粒、塑封结构、第一局部互连层、第二局部互连层、第一再布线层、第二再布线层。将载板减薄并刻蚀出若干硅通孔；在通孔内沉积阻挡层、TSV填充；在载板正面刻蚀出凹槽，在凹槽内制作局部互连层并埋入芯粒；之后进行模塑料填充、塑料通孔刻蚀、TMV填充；再依次制作第一、第二再布线层；最后植球实现三维堆叠。该结构基于后通孔技术实现载板厚度及TSV高度可调，尺寸适应性好，另外该双面扇出结构可以有效减少互连距离，在电性能及信号传输方面具有很大的优势，同时便于三维堆叠，有效提高封装集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 后通孔 技术 三维 半导体 集成 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
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