[发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管在审
| 申请号： | 202210808518.2 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115000184A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张建国 | 申请（专利权）人： | 绍兴澎芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311800 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管,包括：N+碳化硅衬底；一次N‑碳化硅外延层,形成在所述N+碳化硅衬底正面上；P型注入区，对称形成在所述一次N‑碳化硅外延层的两侧，并且嵌入在所述一次N‑碳化硅外延层内；二次N‑碳化硅外延层，形成在所述一次N‑碳化硅外延层和所述P型注入区上；P+离子注入区，对称形成在所述二次N‑碳化硅外延层的两侧，并且贯穿所述二次N‑碳化硅外延层与所述P型注入区连通；势垒金属层，形成在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上；金属PAD层，形成在所述势垒金属层上；欧姆金属层，形成在所述N+碳化硅衬底背面。本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管，其正向导通特性参数较传统器件优势明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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