[发明专利]一种凹陷式Fin-JFET栅结构HEMT及制作方法有效
| 申请号： | 202210808102.0 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114883396B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王中健;曹远迎 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹陷式Fin‑JFET栅结构HEMT及制作方法，属于微电子与固体电子学领域，由下至上生长有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P‑GaN层和栅电极，沟道层两侧生长有源电极和漏电极；在p‑GaN层中形成n‑GaN区域，将由栅电极与P‑GaN层构成的肖特基二极管等效为pn二极管Dpn，并在二极管Dpn两端并联一由栅极电压控制的常开型Fin‑JFET，Fin‑JFET一端通过欧姆接触与源电极连接；P‑GaN层下方的势垒层有一凹陷区域，用于提高器件栅控能力，且能够与鳍横向尺寸共同决定器件阈值电压，降低阈值电压对鳍横向尺寸的依赖以及对横向工艺尺寸的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹陷 fin jfet 结构 hemt 制作方法 | ||
【主权项】：
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