[发明专利]一种基于尺寸和形状控制的AlN晶体材料制备方法有效
| 申请号： | 202210793673.1 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN114855281B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王充;刘博;常煜鹏;张童;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安半导体技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本公开属于半导体领域，具体而言涉及一种基于尺寸和形状控制的AlN晶体材料制备方法，所述方法使用AlN粉末在AlN晶体材料制备系统中制备AlN晶体，所述制备系统包括外坩埚和设置在外坩埚内的内坩埚，所述内坩埚包括，具有内部空间且沿竖直方向延伸的壳体；上盖，位于壳体上端，上盖包括沿水平方向延伸的第一表面；下盖，位于壳体下端，用于承载氮化铝粉末，下盖包括沿水平方向延伸的第二表面；柱，设置在内坩埚的内部空间中；柱的数量为多个，多个柱之间间隔预定距离地设置；每个柱均具有沿水平方向延伸的第三表面；通过装料步骤、升温步骤、生长步骤和冷却步骤，进行多次生长，在柱的第三表面得到粒径大于20mm的氮化铝籽晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 尺寸 形状 控制 aln 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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