[发明专利]提高微型发光二极管发光一致性的生长方法在审
| 申请号： | 202210792545.5 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115341194A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;龚逸品 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高微型发光二极管发光一致性的生长方法，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成三维成岛层，在形成所述三维成岛层时，控制向反应腔内通入的alkyl气体的流量不低于250ml/min，且不高于600ml/min；在所述三维成岛层上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层。在生长三维成岛层时，以不低于250ml/min，且不高于600ml/min的流量通入alkyl气体，在alkyl气体的推动下，能够提高反应腔中央区域的MO浓度，避免MO源大多集中在反应腔的边缘，使MO源在反应腔中分布更加均匀，提高微型发光二极管的发光一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 微型 发光二极管 发光 一致性 生长 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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