[发明专利]基于高阻硅衬底的CCD及制作方法

摘要

本发明涉及一种基于高阻硅衬底的CCD制作方法，包括取一P型高阻硅衬底；在非光敏区区域进行硼注入，使非光敏区区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布；在P型高阻硅衬底上制作CCD。本发明中，通过对非光敏区区域进行大面积硼注入设计，不仅在光敏区区域保留P型高阻硅特性，而且解决了现有技术中基于P型高阻硅衬底的CCD的耗尽层相比于常规P型低阻硅衬底的CCD更加易于扩展，易导致放大器源漏穿通、放大器直流增益特性退化等问题，改善了基于P型高阻硅衬底制作的CCD的性能。