[发明专利]基于高阻硅衬底的CCD及制作方法

权利要求书

1.一种基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、取一P型高阻硅衬底，所述P型高阻硅衬底包括衬底和设置在衬底上的外延层；

S2、在非光敏区区域的外延层上进行硼注入，使非光敏区区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布；

S3、在P型高阻硅衬底上制作CCD。

2.根据权利要求1所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S2步骤中，采用非推结复合能量硼注入工艺在非光敏区区域的外延层上进行硼注入，所述非推结复合能量硼注入工艺省去了硼注入工艺中的高温推结工艺。

3.根据权利要求2所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，所述非推结复合能量硼注入工艺包括以下步骤：

S201、在非光敏区区域的外延层上进行高能低剂量硼注入，在注入区域形成掺杂分布；

S202、在非光敏区区域的外延层上进行中能低剂量硼注入，在注入区域形成掺杂再分布。

4.根据权利要求3所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S201步骤中，高能低剂量硼注入时的注入能量大于或等于1MeV，剂量为1e11cm^-2～5e11cm^-2。

5.根据权利要求3所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S201步骤中，高能低剂量硼注入后在注入区域形成的结深为2.5μm～3.5μm，峰值浓度为5e15cm^-3～1e16cm^-3。

6.根据权利要求3所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S202步骤中，中能低剂量硼注入时的注入能量为100keV～300keV，剂量为1e11cm^-2～5e11cm^-2。

7.根据权利要求3所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S202步骤中，中能低剂量硼注入后，外延层表面的硼浓度与S201步骤中高能低剂量硼注入后结深的峰值浓度相当。

8.根据权利要求1所述的基于高阻硅衬底的CCD制作方法，其特征在于，在所述S3步骤中，制作出的所述CCD为帧转移CCD、TDICCD或线阵CCD。

9.一种基于高阻硅衬底的CCD，其特征在于，包括P型高阻硅衬底，所述P型高阻硅衬底包括衬底和设置在衬底上的外延层；所述外延层上对应非光敏区区域的位置处设有注入区域，所述注入区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布。

10.根据权利要求9所述的基于高阻硅衬底的CCD，其特征在于，所述注入区域的结深为2.5μm～3.5μm。