[发明专利]一种双向TVS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210774166.3 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115497932A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 喻洋;刘宪成;田珊珊;李吉锋;陈秋芳;卞飞翔;邹佳欣;王明辉;王英杰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 甄丹凤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种双向TVS器件及其制备方法，器件包括：第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底上的第二掺杂类型的外延层，其中，第二掺杂类型和第一掺杂类型相反；隔离结构，从所述外延层的表面延伸至所述衬底中，在所述外延层中限定出相互隔离的第一区域、第二区域、第三区域、第四区域以及第五区域；其中，在第一区域、第二区域、第三区域、第四区域内分别形成第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管，在第五区域内形成三极管；以及金属互连结构，将第一二极管和第三二极管的负极连接在所述三极管的第一电位，将第二二极管和第四二极管的正极连接在所述三极管的第二电位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 tvs 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
