[发明专利]基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件在审
| 申请号： | 202210773444.3 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274655A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;舒稷 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/866 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件。所述的cascode型功率半导体器件由基于SiC的JFET、基于GaN的HEMT和双向的齐纳二极管组成；HEMT与JFET串联，其中HEMT的漏极与JFET的源极连接，JFET的门极与HEMT的源极连接，齐纳二极管B‑ZD与HEMT并联，由于齐纳二极管B‑ZD是双向对称的，不需要指定齐纳二极管B‑ZD的方向；在所述cascode器件中，JFET的漏极为cascode器件的漏极，HEMT的源极为cascode器件的源极，HEMT的门极为cascode器件的门极。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 级联 jfet hemt cascode 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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