[发明专利]制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202210768951.8 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115312389A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 武娴 | 申请（专利权）人： | 北京清芯昇能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 100000 北京市丰台区南*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：在第一衬底的一侧进行含H离子注入；在第一衬底以及第二衬底表面的至少之一处形成导电层；在所述导电层处进行键合以形成第一键合体；对所述第一键合体进行第一退火处理，使第一键合体剥离，以形成具有所述第二衬底的第二键合体；在所述第二键合体具有第一衬底一侧表面形成第一外延层；在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧形成栅极和第一电极；在所述第二键合体具有第二衬底一侧形成第二电极。该方法具有可较为简便地获取低电阻的电极端(如集电极端或漏极端)，器件加工工艺兼容性较佳，且第一衬底可被重复利用，生产成本较为低廉等优点的至少之一。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 具有 垂直 结构 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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