[发明专利]一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法在审
| 申请号： | 202210766829.7 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114975156A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 夏禹;董颖;何志斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆测试用缺陷检测结构及其方法，属于半导体器件及制造领域。该结构包括：若干检测组；所述检测组两端包括相邻预设间距的第一晶圆连接、M0金属层和第二晶圆连接、以及用于对所述M0金属层进行切割的M0切割结构，其中，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接之间包括预设间距的鳍Fin；所述M0金属层通过金属连线层导出，所述第一晶圆连接和所述第二晶圆连接通过第一层金属连线层导出。通过上述结构为WAT level特别设计了一种晶圆测试用缺陷检测结构，通过在特定位置进行导通测试，从而确定出缺陷鳍Fin是否存在，进而解决相关技术中针对Fin merge异常没有针对性检测手段的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 缺陷 检测 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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