[发明专利]一种磷化铟晶片的表面处理方法在审
| 申请号： | 202210766540.5 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115020218A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 董晨晨;刘良副;郑金龙;马金峰;周铁军 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨威 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种磷化铟晶片的表面处理方法，包括以下步骤：a)将抛光、化蜡后的磷化铟晶片采用混合药液进行过药处理，得到处理后晶片；所述混合药液由氧化剂溶液、酸溶液和水配制而成；b)将步骤a)得到的处理后晶片依次经冲水、甩干，得到清洗检验前的磷化铟晶片。与现有技术相比，本发明提供的磷化铟晶片的表面处理方法是出现在磷化铟晶片清洗检验前的一个重要工艺，该表面处理方法操作简便、效率高；处理后的晶片表面粗糙度会更好，产品良率更高；并且所使用的混合药液中各成分均为常见无机化学品，成本低；因此本发明提供的磷化铟晶片的表面处理方法具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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