[发明专利]一种晶片清洗工艺在审
| 申请号： | 202210763147.0 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115050629A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 郑金龙;杨小丽;周铁军;马金峰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B11/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 黄华莲 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片清洗技术领域，公开了一种晶片清洗工艺，其包括第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗以及烘干处理，工艺适用性强，能改善晶片的表面洁净度，降低晶片制绒后不良比率和提升电池光电转换效率；同时，本发明验证出更加适合清洗晶片的清洗液配比方式，清洗液成本合理，清洗产能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
