[发明专利]一种晶片清洗工艺

权利要求书

1.一种晶片清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

使用第一清洗液对晶片进行第一次清洗，其中，所述第一清洗液为异丙醇和酒精的混合溶液；

使用第二清洗液对所述晶片进行第二次清洗，其中，所述第二清洗液为氢氧化铵、过氧化氢和水的混合溶液；

使用第三清洗液对所述晶片进行第三次清洗，其中，所述第三清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；

对所述晶片进行烘干处理。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第一次清洗和所述第二次清洗之间，需要对所述晶片进行第一次纯水清洗；

所述第二次清洗和所述第三次清洗之间，需要对所述晶片进行第二次纯水清洗；

所述第三次清洗之后，需要对所述晶片进行第三次纯水清洗。

3.根据权利要求2所述的晶片清洗工艺，其特征在于：在完成所述第三次纯水清洗后，还需要对晶片如下操作：

使用酒精对所述晶片进行清洗；

使用异丙醇对所述晶片进行清洗。

4.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第一清洗液为体积比异丙醇：酒精＝1：1的混合溶液，其中，所述异丙醇的浓度为大于等于99％，所述酒精的浓度大于等于99％。

5.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第二清洗液为体积比氢氧化铵：过氧化氢：水＝1：(3-4)：(7-9)的混合溶液，所述氢氧化铵的浓度为28％-30％，所述过氧化氢的浓度为30％-32％。

6.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第三清洗液为体积比盐酸：过氧化氢：水＝5：(2-3)：(18-22)的混合溶液，其中，所述盐酸的浓度为36％-38％，所述过氧化氢的浓度为30％-32％。

7.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第一次清洗、第二次清洗和第三次清洗的清洗时间均为15-60s。

8.根据权利要求2所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗、第一次纯水清洗、第二次纯水清洗以及第三次纯水清洗时，所述晶片处于旋转状态，且旋转速率为20-30转/分钟。

9.根据权利要求1所述的晶片清洗工艺，其特征在于：所述烘干处理包括：

旋转所述晶片，并利用氮气吹扫烘干所述晶片。

10.根据权利要求9所述的晶片清洗工艺，其特征在于：在所述烘干处理时，氮气的温度为28-35℃，烘干时间为270-320秒，所述晶片处于旋转状态，且旋转速率为150-200转/分钟。